✕ 日本東京大學研究團隊在新型記憶體技術取得進展,成功展示一種以反鐵磁材料錳錫(Mn₃Sn)打造的非揮發性磁切換元件,能在40皮秒內完成狀態翻轉,速度比DRAM常見的奈秒級切換快約1000倍,且切換...
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✕ 日本東京大學研究團隊在新型記憶體技術取得進展,成功展示一種以反鐵磁材料錳錫(Mn₃Sn)打造的非揮發性磁切換元件,能在40皮秒內完成狀態翻轉,速度比DRAM常見的奈秒級切換快約1000倍,且切換...