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中國版「曼哈頓計劃」? 路透:年初在深圳成功打造EUV光刻機原型

近年美中貿易戰、科技戰開打,美國多次針對中國祭出口限制,企圖防止頂尖半導體技術及產品輸中;然而,有外媒引述知情人士透露,今年年初,中國的科學家已在深圳一家祕密實驗室裡,製造出了華府多年來一直想阻止中國取得的東西:一台能夠生產尖端半導體晶片的極紫外光(EUV)光刻機原型。

我是廣告 請繼續往下閱讀 根據《路透社》報導,這項祕密工程項目被形容為「中國版曼哈頓計劃」(二戰時美國祕密研製原子彈的歷史),凸顯中國意在AI晶片技術領域與西方匹敵。這台EUV光刻機由荷蘭晶片設備製造商ASML的前工程師,以逆向工程的方式打造。目前,中國的原型機已能成功產生EUV光,但尚未產出能運作的晶片。

報導指出,這項計劃是在中國國家半導體的戰略框架下運作,由中共高層、習近平親信丁薛祥領導監督,華為扮演關鍵角色,負責協調一個由國家科研院所、供應商和工程團隊組成的網路,涉及數千名工作人員,若中國真能生產尖端半導體晶片,這些晶片將為AI、智慧型手機以及現代武器系統提供動力。

據了解招募情況的人士透露,有從ASML被招募到該項目的資深中國工程師發現,豐厚的簽約獎金還附帶一張以假名簽發的身份證,他也認出廠房裡有其他幾位ASML的前同事,他們都使用化名工作。有2名仍在ASML的華裔員工也證實,至少從2020年起,他們就一直被華為招募部接觸。

所謂的EUV光刻機,是全球晶片競賽最精密的製程之一,也是這場「科技冷戰」的核心,利用極紫外光在矽晶圓上刻出超精細電路,從而生產高端晶片。這項技術之前一直被西方供應商壟斷,而中國的最終目標則是使用完全國產的設備,生產先進晶片,從而擺脫對美國及其盟友供應鏈的依賴。

今年4月,ASML執行長富凱(Christophe Fouquet)曾表示,中國需要「很多年」才能研發出這樣的技術,但從這篇報導來看,中國在實現半導體自主方面,可能比分析師預期的要快得多。然而,中國仍面臨重大的技術挑戰,尤其是在複製西方供應商生產的精密光學系統方面,中國政府的目標是在2028年實現晶片生產,但從進度看來,可能要到2030年才有望落實。

分析認為,這項突破標誌著中國政府實現半導體自給自足的重要成果,這也是習近平的首要任務之一。知情人士透露,雖然中國的半導體發展目標已公開,但深圳的EUV計畫卻一直祕密進行。

對此,ASML則透過聲明回應,其它公司想要複製技術是可以理解的,但並非易事,他們也嚴密保護自家商業機密資訊,但報導提醒,歐洲隱私權法規限制了ASML追蹤前員工的能力,保密協議的跨境執行有其困難度,目前也不知ASML是否已經對參與中國此項目的前員工採取法律行動。


原文連結:Exclusive: How China built its ‘Manhattan Project’ to rival the West in AI chips

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