三星領先業界量產全球首款HBM4並率先出貨...

韓國半導體巨頭三星電子今（12）日宣布，正式量產全球首款、業界領先的商用第六代高頻寬記憶體HBM4產品，並完成業界首次出貨，在全球HBM4市場奠定領導地位。

我是廣告請繼續往下閱讀韓國媒體指出，HBM4出貨最大客戶為輝達，成為全球首批交付客戶的量產版HBM4，顯見其技術競爭力出現重大突破。外界預期，輝達將在3月16日至19日舉行的2026年GTC大會上，正式發表搭載三星HBM4的Vera Rubin加速器。

三星指出，藉其最先進的第六代10奈米級DRAM製程（1c），量產之初即實現穩定良率與業界頂尖效能，無需額外重新設計即順利完成。

三星電子執行副總裁暨記憶體開發負責人Sang Joon Hwang表示，有別於傳統採用既有驗證設計的路徑，三星引領創新，在HBM4上採用了1c DRAM和4奈米邏輯製程等最先進節點。「憑藉製程競爭力與設計最佳化能力，我們確保充足的效能空間，在客戶需要時，就能滿足其不斷提升的高效能需求。」

三星強調，致力於透過全面的製造資源推動HBM發展，作為業界最大的DRAM產能與支援基礎設施供應商，確保供應鏈韌性，以應對預期激增的HBM4需求。

三星表示，透過晶圓代工與記憶體部門之間緊密整合的設計技術整合優化（DTCO），三星確保最高標準的品質與良率。此外，三星內部具備豐富的先進封裝技術能力，可有效縮短生產週期與交期。

三星預期，公司HBM銷售業績將在2026年較2025年增長超過三倍，並積極擴大HBM4的產能。繼HBM4成功進入市場後，三星預計於2026年下半年開始出貨HBM4E樣品，並將依客戶各別的規格需求，於2027年開始提供客戶客製化HBM樣品。

外媒指出，產業分析機構SemiAnalysis近期下修供應鏈預測，指出美光在輝達Rubin架構HBM供應鏈中的比重，已被下修至零，相關訂單將由兩大廠SK海力士與三星電子分食，供應比例約為70%與30%。但也有韓媒分析認為，美光最終仍可能取得約20%市佔率，市場看法仍存分歧。

分析指出，美光未能擠進Rubin GPU初期供應名單，關鍵在於其最新HBM4樣品的引腳速率（Pin Speed），未能達到輝達要求的11Gbps目標規格。

財經網站Simplywallst分析指出，美光失去輝達HBM4訂單，可能限制該公司在高毛利AI記憶體市場的滲透力，且當三星提前放量，恐在美光產能爬升過程中對市場價格形成壓力，挑戰其獲利表現。