我是廣告 請繼續往下閱讀 根據《彭博》報導,三星電子公司季度利潤成長超過3倍,創歷史新高。截至 12 月的三個月內,初步營業利潤達 20 兆韓元,大幅成長 208%,超越分析師預期。營收則成長 23% 至 93 兆韓元,同樣刷新紀錄。三星股價週四上午一度上漲 2.5%,延續了自年初以來上漲 20% 的走勢。
報導提到,在全球爭相部署大型資料中心的浪潮下,三星等記憶體製造商正將產能從一般科技產品轉向為輝達等 AI 巨頭生產利潤更高的高階晶片。這導致筆記型電腦與伺服器所需的標準記憶體嚴重短缺,造成 DRAM 和 NAND 價格飆升。
裏昂證券韓國研究主管拉那(Sanjeev Rana)表示,超大規模數據中心和雲端服務提供商正在大量購買DRAM,並且他們願意溢價支付,
他表示,DRAM的平均售價在去年12月當季上漲超過30%,NAND快閃記憶體的平均售價上漲約20%,他補充,價格可能在2026年全年以及2027年上半年保持強勁勢頭。他研判, 「即使之後,我們可能也不會看到太大的回調,因為需求太強勁,供應太緊張。」
彭博分析師 Masahiro Wakasugi 和 Takumi Okano 認為,三星 2025 年第四季初步營業利潤率,顯示其受益於傳統 DRAM、高頻寬記憶體(HBM)及 NAND 晶片的強勁需求。
彭博指出,在高頻寬記憶體(HBM)領域一度落後 SK 海力士與美光的三星,已於去年將其新一代 HBM4 樣品交付輝達進行驗證測試。這燃起了市場希望,認為三星有望縮小與對手的差距,並在今年上半年開始量產,裏昂證券預測,隨著 HBM4 進入商業供應,三星 2026 年的 HBM 總出貨量將增長三倍。
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標題:記憶體漲價賺爛了!三星揭營業利潤成長超驚人
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