我是廣告 請繼續往下閱讀 目前最大關鍵在於極紫外光（EUV）微影技術。對於3奈米及以下節點而言，EUV幾乎是不可或缺的核心設備。然而在出口管制之下，中芯國際無法取得EUV機台，只能仰賴深紫外光（DUV）浸潤式微影技術，搭配自對準四重圖形化（SAQP）等多重曝光方式，透過增加製程步驟來壓縮線寬。這種以「工程強度」彌補設備落差的策略，讓外界普遍認為中芯已具備量產準7奈米產品的能力，但技術天花板逐漸浮現。
根據TechInsights拆解分析，華為Mate 80系列搭載的麒麟9030與9030 Pro晶片，由中芯N+3製程生產。然而，所謂N+3更接近既有7奈米（N+2）的延伸優化，而非真正跨入5奈米世代。其電晶體架構並未出現根本改變，性能與密度提升主要來自金屬層間距壓縮與設計協同優化，本質上仍是在DUV框架下的極限推進，而非建立在EUV基礎上的世代轉換。
更現實的壓力來自成本與良率。多重曝光意味著更多製程步驟與更高疊對誤差風險，每增加一次曝光，缺陷機率與變異風險同步升高。外界推估，中芯7奈米良率約五成，若挑戰5奈米級，恐降至三至四成，且成本可能高出台積電同級製程四至五成。即便數據仍有討論空間，但在缺乏EUV條件下，要同時實現高良率、低成本與穩定量產，難度極高。
即便取得EUV設備，也不代表勝券在握。英特爾與三星電子皆擁有EUV產線，卻同樣在先進節點推進中遭遇良率與成本壓力。童振源分析，關鍵不僅在機台，而在長年累積的製程整合能力、缺陷管理經驗與供應鏈協同效率。以台積電為例，其優勢來自完整體系與高度紀律化的量產管理，設備只是門票，體系才是核心競爭力。
此外，先進製程高度依賴EDA設計軟體、核心IP模組、關鍵材料與量測設備，相關領域仍由美、歐、日企業主導。荷蘭設備大廠ASML能將EUV商業化，本身即是跨國分工與數十年研發的成果。2025年初，英特爾更已導入高數值孔徑（High-NA）EUV生產，象徵競賽持續升級。在此動態追逐下，中國即便未來突破低數值孔徑EUV技術，仍須面對持續擡升的門檻。整體而言，中國展現韌性與工程能力，但若要真正改寫先進製程版圖，仍需時間、制度與完整產業生態的長期積累。
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標題：沒有EUV的突圍戰！中國先進製程能否改寫半導體版圖？
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